提高性价比：如何用更便宜的器件替代IRFP250N场效应管？

场效应管是中高功率电子器件的重要代表之一。在许多应用中，IRFP250N场效应管以其特殊的优点被广泛应用于功率变换、开关控制和稳定化电路中。不过，IRFP250N场效应管相应的价格也比较高。在实际生产中，如何用更便宜的器件替代IRFP250N场效应管？本文将介绍几种常见的替代方案，以提高性价比。

在一些低压、小功率应用场合，可以使用BAT85二极管和BC547晶体管组合替代IRFP250N场效应管。BAT85二极管具有快速开关特性和较小的反向电容，适用于开关电源和LED驱动应用，并且价格低廉。BC547晶体管具有较高的电流放大倍数和较低的饱和电压，适用于低压、小功率开关和线性放大应用。通过串联BAT85二极管和BC547晶体管，可以取代IRFP250N场效应管的开关和稳定化功能。

0.07

5.80

9.2

0.16

1.10

由上表可以看出，IRF520的价格只有IRFP250N的1/5左右，因此在一些低成本产品中可以考虑使用IRF520。

IXYS IXTK105N20P是一种较新的高性价比场效应管。它采用N沟道MOSFET技术，具有较小的开通电阻、较高的开通速度和较低的输入电容，适合高速开关应用。并且IXYS IXTK105N20P价格同样较低。

除了上面介绍的常见场效应管外，还有许多其他种类的场效应管可供选择。例如，STP55NF06L场效应管、IRF3710场效应管等均具有低开通电阻和高速开关特性，但价格更便宜。

本文介绍了四种替代方案，以提高性价比。在实际选型时，应根据具体的应用场景和要求进行选择，并进行必要的参数测试和验证。